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SZESD8351MUT5G

ESD Protection Diodes Low Capacitance ESD Protection Diode for High Speed Data Line

The ESD8351 Series ESD protection diodes are designed to protect high speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and low ESD clamping voltage make this device an ideal solution for protecting voltage sensitive high speed data lines. Features • Low Capacitance (0.55 pF Max, I/O to GND)

文件:501.14 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SZESD8351MUT5G

ESD Protection Diodes

文件:286.97 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SZESD8351MUT5G

ESD8118MUTAG

文件:292.08 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SZESD8351MUT5G

Package:0201(0603 公制);包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    SZESD8351MUT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, ESD8351

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    11.2V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    5A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级

  • 不同频率时电容:

    0.25pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON Semiconductor
23+
2-x3dfn(0.62x0.32)
6996
只做原装正品现货
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onsemi(安森美)
25+
X3-DFN-2
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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ONSemiconductor
24+
SMD
15600
ESD抑制器/TVS二极管UNIDIRECTIONALSCR
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1983
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DFN-2
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ON/安森美
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DFN-2
14280
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73000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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onsemi/安森美
两年内
NA
14600
实单价格可谈
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onsemi(安森美)
25+
X3-DFN-2
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
ON
19+
SOD-923
200000
询价
更多SZESD8351MUT5G供应商 更新时间2026-2-2 14:23:00