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SVSP35N65P7D3规格书详情
描述 Description
SVSP35N65P7D3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP35N65P7D3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
特性 Features
• 35A,650V, RDS(on)(typ.)=70mW@VGS=10V
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 较强的雪崩能力
• 较强的dv/dt能力
• 较高的峰值电流能力
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
25+ |
DFN |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
Silan |
23+ |
TO-247 |
20000 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
询价 | ||
SILAN(士兰微电子) |
2511 |
5904 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
21+ |
TO220 |
38000 |
询价 | |||
Silan |
23+ |
TO-247 |
2795 |
现货库存,实单请给接受价格 |
询价 | ||
SILAN |
22+ |
PDFN8 |
621 |
原装 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
80000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
SAMSUNG |
16+ |
QFP |
1052 |
进口原装现货/价格优势! |
询价 | ||
SAMSUNG |
24+ |
QFP |
71 |
询价 | |||
冠坤电子 |
21+ |
10mm*12.5mm |
13 |
全新原装鄙视假货 |
询价 |
