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SVS7N65FJD2	文件：281.13 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7N65FJD2；Package：TO-220FJ-3L；7A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2isanN-channelenhancementmodehigh voltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunctionMOS technology.Itachieveslowconductionlossandswitchinglosses.It leadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswithhigh efficiency,highpowerde	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
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SVS7N65FJD2	文件：289.86 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7N65FJD2；Package：TO-220FJ-3L；7A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2isanN-channelenhancementmodehigh voltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunctionMOS technology.Itachieveslowconductionlossandswitchinglosses.It leadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswithhigh efficiency,highpowerde	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
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SVS7N65FJD2	文件：289.87 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7N65FJD2；Package：TO-220FJ-3L；7A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2isanN-channelenhancementmodehigh voltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunctionMOS technology.Itachieveslowconductionlossandswitchinglosses.It leadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswithhigh efficiency,highpowerde	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVS7N65FJD2	文件：300 bytes Page：1 Pages	超结MOS功率管; • 7A,650V, RDS(on)(typ.)=0.55W@VGS=10V \n• 创新高压技术\n• 低栅极电荷\n• 较强的雪崩能力\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力\n; SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。\n\n 此外，SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域。\n\n \n\n	SilanSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	Silan

技术参数

Polarity：
N
Vdss (V)：
650
Id (A)Tc=25℃：
7
Vgs (th) (V)：
2.0~4.0
Rds(on) @10V typ (Ω)：
550
Rds (on) @10Vmax (Ω)：
640
Qg@10Vtyp (nC)：
16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞新盛科技有限公司	SVS7N65FJD2	SILAN/士兰微	24+	TO-220F	196000	专营SILAN士兰微原装保障	询价
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更多SVS7N65FJD2供应商更新时间2025-7-28 16:02:00

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