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SVS7N65FJD2	文件：281.13 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7N65FJD2；Package：TO-220FJ-3L；7A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silan’s super junction MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power de 文件：281.13 Kbytes 页数：10 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVS7N65FJD2	文件：281.13 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7N65FJD2；Package：TO-220FJ-3L；7A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silan’s super junction MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power de 文件：281.13 Kbytes 页数：10 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVS7N65FJD2	文件：289.86 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7N65FJD2；Package：TO-220FJ-3L；7A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silan’s super junction MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power de 文件：289.86 Kbytes 页数：10 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVS7N65FJD2	文件：289.86 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7N65FJD2；Package：TO-220FJ-3L；7A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silan’s super junction MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power de 文件：289.86 Kbytes 页数：10 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVS7N65FJD2	文件：289.87 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7N65FJD2；Package：TO-220FJ-3L；7A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silan’s super junction MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power de 文件：289.87 Kbytes 页数：10 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVS7N65FJD2	文件：300 bytes Page：1 Pages	超结MOS功率管 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。\n\n 此外，SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域。\n\n • 7A,650V, RDS(on)(typ.)=0.55W@VGS=10V \n• 创新高压技术\n• 低栅极电荷\n• 较强的雪崩能力\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力;	Silan 士兰微	Silan

技术参数

Polarity：
N
Vdss (V)：
650
Id (A)Tc=25℃：
7
Vgs (th) (V)：
2.0~4.0
Rds(on) @10V typ (Ω)：
550
Rds (on) @10Vmax (Ω)：
640
Qg@10Vtyp (nC)：
16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞新盛科技有限公司	SVS7N65FJD2	SILAN/士兰微	24+	TO-220F	196000	专营SILAN士兰微原装保障	询价
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更多SVS7N65FJD2供应商更新时间2025-12-17 17:19:00

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