SVF2N65MJ中文资料F-CellTM系列高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVF2N65MJ规格书详情
描述 Description
SVF2N65F/MJ/D  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
      该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 2A,650V,RDS(on)(典型值)=4.3Ω@VGS=10V
• 低反向传输电容
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号:SVF2N65MJ 
- 生产厂家:Silan 
- Status:MP 
- Type:N 
- Process:F-cell 
- Configuration:Single 
- Popular Application:High Voltage 
- ESD Diode:NO 
- Schottky Diode:NO 
- Schottky Type:NO 
- Package:TO-251J-3L 
- VGS:30 
- ID @25℃:2~4 
- PD @25℃:2 
- RDS[ON]@VGS=10v:38 
- VGS[th]:4.80 
- Ciss:233.00 
- Crss:3.10 
- Qg:8.59 
- Qgd:4.70 
- Td[on]:9.00 
- Td[off]:23.10 
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