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SVF2N60CMJ中文资料N沟道增强型场效应管数据手册Silan规格书

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厂商型号

SVF2N60CMJ

功能描述

N沟道增强型场效应管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 8:20:00

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SVF2N60CMJ规格书详情

描述 Description

SVF2N60CN/M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

特性 Features

• 2A,600V,RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力

技术参数

  • 制造商编号

    :SVF2N60CMJ

  • 生产厂家

    :Silan

  • Status

    :MP

  • Type

    :N

  • Process

    :F-cell

  • Configuration

    :Single

  • Popular Application

    :High Voltage

  • ESD Diode

    :NO

  • Schottky Diode

    :NO

  • Schottky Type

    :NO

  • Package

    :TO-251J-3L

  • VGS

    :30

  • ID @25℃

    :2~4

  • PD @25℃

    :2

  • RDS[ON]@VGS=10v

    :35

  • VGS[th]

    :4.20

  • Ciss

    :233.00

  • Crss

    :2.80

  • Qg

    :8.24

  • Qgd

    :4.44

  • Td[on]

    :8.90

  • Td[off]

    :23.40

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