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SVF2N60CNF中文资料F-CellTM系列C版高压MOSFET数据手册Silan规格书

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厂商型号

SVF2N60CNF

功能描述

F-CellTM系列C版高压MOSFET

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 8:20:00

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SVF2N60CNF规格书详情

描述 Description

SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源, DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动。

特性 Features

·2A, 600V, RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
·低栅极电荷量
·低反向传输电容
·开关速度快
·提升了 dv/dt 能力

应用 Application

 适配器;充电器 

技术参数

  • 制造商编号

    :SVF2N60CNF

  • 生产厂家

    :Silan

  • Type

    :N

  • VGS [±V]

    :30

  • VGS(th)[V]

    :2~4

  • Package

    :TO-126F-3L

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