F-CellTM系列C版高压MOSFET

SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源， DC-DC 电源转换器， 高压 H 桥 PWM 马达驱动。 ·2A， 600V， RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V\r\n·低栅极电荷量\r\n·低反向传输电容\r\n·开关速度快\r\n·提升了 dv/dt 能力;

Silan

士兰微

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.7999 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08793 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

This power MOSFET is produced in CHMC with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

文件：510.09 Kbytes 页数：6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商