SVF2N60RD数据手册Silan中文资料规格书
SVF2N60RD规格书详情
描述 Description
SVF2N60RD/M/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF2N60RD
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：600
- Id (A)Tc=25℃
：2
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：3.7
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：4.2
- Qg@10Vtyp (nC)
：8.9
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILIAN |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
专营SILAN士兰微原装保障 |
询价 | ||
士兰微 |
23+ |
TO-252 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
士兰微 |
24+ |
10000 |
原装现货 |
询价 | |||
SILAN(士兰微) |
2025+ |
TO-252-2 |
10560 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
SILAN |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SILIAN |
24+ |
TO-252 |
60000 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-251 |
197 |
原装现货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-252-2L |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 |
