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SVF12N60RF规格书详情
描述 Description
SVF12N60RF(FJH) N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 12A，600V，RDS(on)(典型值)=0.58Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF12N60RF
- 生产厂家
：Silan
- Status
：Sample
- Type
：N
- Process
：F-cell
- Configuration
：Single
- Popular Application
：High Voltage
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
- Schottky Type
：NO
- Package
：TO-220F-3L
- VGS
：30
- ID @25℃
：2~4
- PD @25℃
：12
- RDS[ON]@VGS=10v
：39
- VGS[th]
：0.75
- Ciss
：1143.00
- Crss
：17.00
- Qg
：37.00
- Qgd
：17.00
- Td[on]
：26.00
- Td[off]
：90.00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN士兰微 |
2024+ |
TO-220F |
500000 |
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询价 | ||
SL |
1836+ |
TO-263-2L |
9852 |
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询价 | ||
SILAN士兰微 |
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TO-220F |
722 |
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SILAN/士兰微 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
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SILAN(士兰微电子) |
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士兰微 |
24+ |
TO220-3L |
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SL |
11+ |
TO-263-2L |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SILAN |
24+ |
SMD |
30000 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
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TO-220FJH-3L |
188600 |
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询价 | ||
SILAN |
2020+ |
SOP |
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询价 |
