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SVF10N65RAD中文资料F-CellTM系列高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVF10N65RAD规格书详情
描述 Description
SVF10N65RAMJ//MQ/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 10A，650V，RDS(on(typ.)=0.85Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt能力
应用 Application
开关电源
技术参数
- 制造商编号
：SVF10N65RAD
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：650
- Id (A)Tc=25℃
：10
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：0.85
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：0.95
- Qg@10Vtyp (nC)
：29
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
士兰微 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
士兰微 |
25+ |
TO-220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SILAN |
24+ |
DIPSOP |
33520 |
一级代理/放心购买 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
21+ |
TO-220F |
18000 |
询价 | |||
士兰微 |
24+ |
TO-220 |
6000 |
只做原装假一赔十 |
询价 | ||
士兰微 |
2023+ |
TO-220 |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
SILAN士兰微 |
23+ |
TO220 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
SILAN |
25+ |
TO-220F |
580 |
只做原装进口!正品支持实单! |
询价 | ||
SILAN |
16 |
询价 | |||||
SILAN(士兰微) |
2447 |
TO220 |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 |
