SVF10N65F数据手册Silan中文资料规格书
SVF10N65F规格书详情
描述 Description
SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 10A，650V，RDS(on)(典型值)=0.80Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF10N65F
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：650
- Id (A)Tc=25℃
：10
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：0.8
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：1
- Qg@10Vtyp (nC)
：29
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
22+ |
TO-220F-3L |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
士兰微 |
20+ |
TO-220F |
80 |
原装优势库存，有意请来电或QQ微信沟通。 |
询价 | ||
SILAN士兰 |
25+ |
TO-220F |
32000 |
SILAN士兰全新特价SVF10N65F即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
SILAN |
24+ |
TO-220F |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
士兰微 |
21+ |
TO220F |
8000 |
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询价 | ||
SILAN(士兰微) |
24+ |
TO-220F-3 |
5000 |
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询价 | ||
SILAN |
1948+ |
TO-220F |
18562 |
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询价 | ||
SILAN |
17+;14+ |
TO-220F |
1096 |
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询价 | ||
士兰微 |
2018+ |
TO-220F |
26976 |
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询价 | ||
SILAN/士兰微 |
22+ |
TO220F |
16800 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
询价 |
