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SVF12N60K中文资料12A/600V N沟道增强型场效应管数据手册Silan规格书

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厂商型号

SVF12N60K

功能描述

12A/600V N沟道增强型场效应管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 14:26:00

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SVF12N60K规格书详情

描述 Description

SVF12N60F/S/K  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

特性 Features

• 12A,600V, RDS(on)(典型值)=0.58Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力

技术参数

  • 制造商编号

    :SVF12N60K

  • 生产厂家

    :Silan

  • Type

    :N

  • VGS [±V]

    :30

  • VGS(th)[V]

    :2~4

  • Package

    :TO-262-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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