SVF12N60K数据手册Silan中文资料规格书
SVF12N60K规格书详情
描述 Description
SVF12N60F/S/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 12A,600V, RDS(on)(典型值)=0.58Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
:SVF12N60K
- 生产厂家
:Silan
- Type
:N
- VGS [±V]
:30
- VGS(th)[V]
:2~4
- Package
:TO-262-3L
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN士兰微 |
2024+ |
TO-220F |
500000 |
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SL |
1836+ |
TO-263-2L |
9852 |
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SILAN士兰微 |
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TO-220F |
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SILAN/士兰微 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
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SILAN(士兰微电子) |
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士兰微 |
24+ |
TO220-3L |
38520 |
一级代理/放心购买 |
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SL |
11+ |
TO-263-2L |
880000 |
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SILAN |
24+ |
SMD |
30000 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-220FJH-3L |
188600 |
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SILAN |
2020+ |
SOP |
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