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SUB65P04-15 | isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -65A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.015Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：344.36 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
SUB65P04-15 | P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET 文件：57.45 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世 | Vishay | |
SUB65P04-15 | P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET | Vishay 威世 | Vishay | |
P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET 文件：57.45 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SUB65P04-15
- 功能描述：
MOSFET 40V 65A 120W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
TO263 |
7850 |
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VISHAY |
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更新时间2025-10-11 11:26:00
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