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SUB45N05-20L	文件：333.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =18mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：333.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUB45N05-20L	文件：58.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 50-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level 文件：58.23 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SUB45N05-20L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-ChanneL 50-V (D-S) 175C MOSFET, Logic Level	Vishay 威世	Vishay
45N05	文件：49.43 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching 文件：49.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTM45N05E	文件：1.69525 Mbytes Page：6 Pages	TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS TMOS IV Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate 文件：1.69525 Mbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTP45N05E	文件：1.69525 Mbytes Page：6 Pages	TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS TMOS IV Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate 文件：1.69525 Mbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola

更多SUB45N05供应商更新时间2025-12-26 11:04:00