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SUB40N06-25L | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：306.48 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
SUB40N06-25L | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.21992 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
SUB40N06-25L | N-Channel 60-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET, Logic Level 文件：62.02 Kbytes 页数：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | |
SUB40N06-25L | N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs, Logic Level | Vishay 威世科技 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SUB40N06-25L
- 功能描述：
MOSFET 60V 40A 3.7W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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