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IXFR30N50	文件：92.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR30N50Q	文件：92.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT30N50	文件：110.19 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect •Fastintrin	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT30N50P	文件：326.23 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV30N50P	文件：326.23 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV30N50PS	文件：326.23 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX30N50	文件：367.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX30N50Q	文件：114.2 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features ●IXYSadvancedlowQgprocess ●Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Moldingepox	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH30N50	文件：380.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH30N50	文件：59.23 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOSFET MegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutatingdv/dtrating •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •M	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
STY30N50E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
ON Semiconductor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	STY30N50E	onsemi(安森美)	24+	-	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	STY30NA50	ST	23+	MAX247	8795		询价
深圳市华斯顿科技有限公司	STY30NA50	ST	25+23+	TO-247	27147	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	STY30NA50	ST/意法	23+	TO247	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	STY30NA50	ST/意法	23+	TO	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市跃创芯科技有限公司	STY30NA50	ST/意法	22+	TO247	20000	原装现货,实单支持	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	STY30NA50	ST/意法	24+	NA/	13199	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	STY30NA50	ST/意法	22+	TO247	20000	原装现货,实单支持	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	STY30NA50	ADI	23+	TO247	8000	只做原装现货	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	STY30NA50	ST	23+24	TO-247	29840	主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管	询价

更多STY30N50E供应商更新时间2025-5-22 16:12:00

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