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IXTV30N50P	文件：352.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV30N50P	文件：294.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV30N50PS	文件：352.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
LPM30N50	文件：472.55 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-Channel,30V,50A,PowerMOSFET	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半导体微源半导体股份有限公司	POWER
MTE30N50E	文件：229.08 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.150OHM ISOTOPTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewenergydesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhig	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM30N50	文件：305.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive ·DC-DCconverter ·powerswitchandsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM30N50	文件：88.03 Kbytes Page：1 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTY30N50	文件：237.96 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.15OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTY30N50E	文件：200.62 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTY30N50E	文件：237.96 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.15OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
STY30N50E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
ON Semiconductor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	STY30N50E	onsemi(安森美)	24+	-	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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