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STW70N65DM6-4中文资料N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package数据手册ST规格书
STW70N65DM6-4规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
• Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
技术参数
- 制造商编号
：STW70N65DM6-4
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO247-4
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.04
- Drain Current (Dc)_max(A)
：68
- PTOT_max(W)
：450
- Qg_typ(nC)
：125
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：170
- Qrr_typ(nC)
：1080
- Peak Reverse Current_nom(A)
：12.7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-247-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
12245 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-247-3 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
9850 |
只做原装正品 |
询价 | |||
ST/意法 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247-4 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
