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STW70N10F4中文资料N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET in DPAK数据手册ST规格书
STW70N10F4规格书详情
描述 Description
This STripFET DeepGATE Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to minimize on-state resistance, with a new gate structure, providing superior switching performance.
特性 Features
• Exceptional dv/dt capability
• 100% avalanche tested
• Extremely low on-resistance RDS(on)
技术参数
- 型号：
STW70N10F4
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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NA |
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ST |
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ST |
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ST/意法 |
22+ |
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原装正品 |
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ST |
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原装正品 |
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ST |
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