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STF42N65M5	文件：1.10667 Mbytes Page：18 Pages	N-channel650V,0.070ohm,33AMDmeshVPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STI42N65M5	文件：357.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=79mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingappl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STI42N65M5	文件：1.10111 Mbytes Page：18 Pages	N-channel650V,0.070廓,33AMDmesh??VPowerMOSFETinI2PAK,TO-220,TO-220FP,D2PAKandTO-247 Description MDmesh™VisarevolutionaryPowerMOSFETtechnologybasedonaninnovativeproprietaryverticalprocess,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatchedamongsilic	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL42N65M5	文件：686.55 Kbytes Page：14 Pages	N-channel650V,0.070廓,34AMDmesh??VPowerMOSFETinPowerFLAT??8x8HVpackage Description ThisdeviceisanN-channelMDmesh™VPower MOSFETbasedonaninnovativeproprietary verticalprocesstechnology,whichiscombined withSTMicroelectronics’well-known PowerMESH™horizontallayoutstructure.The resultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatche	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP42N65M5	文件：319.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
STW42N65M5
功能描述：
MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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