STW3N170中文资料N沟道1700 V、7 Ohm典型值、2.6 A PowerMESH功率MOSFET，TO-247封装数据手册ST规格书
STW3N170规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is designed using the STMicroelectronics consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.
特性 Features
• Intrinsic capacitances and Qg minimized
• High speed switching
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STW3N170
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：1700
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：13
- Drain Current (Dc)_max(A)
：2.6
- PTOT_max(W)
：160
- Qg_typ(nC)
：44
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