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STW35N60M2-EP数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
STW35N60M2-EP |
| 参数属性 | STW35N60M2-EP 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 600V TO247 |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 20:00:00 |
| 人工找货 | STW35N60M2-EP价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STW35N60M2-EP规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• Very low turn-off switching losses
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
简介
STW35N60M2-EP属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STW35N60M2-EP晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STW35N60M2-EP
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.13
- Drain Current (Dc)_max(A)
：26
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：41
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-247-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-247 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 |
