STW26NM50中文资料N沟道500V - 0.1 Ohm - 26A - TO-247有齐纳管保护的MDmesh(TM) 功率MOSFET数据手册ST规格书
STW26NM50规格书详情
描述 Description
MDmesh technology applies the benefits of the multiple drain process to STMicroelectronics well-known PowerMESH horizontal layout structure. The resulting product offers low onresistance, high dv/dt capability and excellent avalanche characteristics.
特性 Features
• High dv/dt and avalanche capabilities
• Low input capacitance and gate charge
• Improved ESD capability
技术参数
- 制造商编号
：STW26NM50
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：500
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.12
- Drain Current (Dc)_max(A)
：30
- PTOT_max(W)
：313
- Qg_typ(nC)
：76
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：400
- Peak Reverse Current_nom(A)
：27
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