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STW26N60M2中文资料N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-247封装数据手册ST规格书
STW26N60M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STW26N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.165
- Drain Current (Dc)_max(A)
：20
- PTOT_max(W)
：169
- Qg_typ(nC)
：34
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
ORIGINAL |
22800 |
原装现货 优势出货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2025+ |
5000 |
原装进口,免费送样品! |
询价 | |||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
1532+;1737+ |
TO247 |
800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
