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STW25NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
The worldwide best R
DS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STW25NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
20 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
原盒原包装 |
33000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54687 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ST |
2019 |
TO-247 |
19700 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SMD |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST |
25+ |
2460 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | |||
ST |
25+23+ |
TO252 |
19845 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-247-3 |
350 |
询价 |
