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STW12N150K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) *area
• Industry’s best figure of merit (FoM)
• Ultra low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STW12N150K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：1500
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.9
- Drain Current (Dc)_max(A)
：7
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：47
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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