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STW10NK60Z中文资料N沟道600 V、0.65 Ohm典型值、10 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET，TO-247封装数据手册ST规格书
STW10NK60Z规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well-established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
特性 Features
• Extremely high dv/dt capability
• 100% avalanche tested
• Gate charge minimized
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STW10NK60Z
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.75
- Drain Current (Dc)_max(A)
：10
- PTOT_max(W)
：156
- Qg_typ(nC)
：50
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：570
- Peak Reverse Current_nom(A)
：15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
16449 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
990000 |
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ST |
23+ |
TO-247 |
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询价 | |||
ST(意法半导体) |
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TO-247-3 |
500000 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
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STM |
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TO-247-3 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
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ST |
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TO-247 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
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