STW11NM80中文资料PDF规格书
STW11NM80规格书详情
FEATURES
·Drain Current –ID=11A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 800V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·Designed for use in switch mode power supplies and general
purpose applications.
产品属性
- 型号:
STW11NM80
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
81 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO-247 |
3000 |
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ST |
2020+ |
TO-247 |
15000 |
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询价 | ||
ST |
22+ |
TO-247-3 |
30000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
2020+ |
TO-247 |
16800 |
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询价 | ||
ST(意法半导体) |
23+ |
TO2473 |
6000 |
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询价 | ||
ST |
2018+ |
TO-247 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
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ST |
TO-247-3 |
9939 |
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询价 | |||
ST/意法 |
06+ |
PBFREE |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
N/A |
589610 |
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