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STW10NA50中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STW10NA50

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

文件大小

243.05 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 16:01:00

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STW10NA50规格书详情

DESCRIPTION

This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.7 Ω

■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE GHARGE MINIMIZED

■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

产品属性

  • 型号:

    STW10NA50

  • 功能描述:

    MOSFET TO-247 N-CH 800V 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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