STW11NB80中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STW11NB80规格书详情
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω
■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
■ GATE CHARGE MINIMIZED
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
产品属性
- 型号：
STW11NB80
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
13199 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-247 |
58000 |
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询价 | ||
ST |
2018+ |
TO-3P |
11256 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
90000 |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
询价 | ||
ST |
2023+ |
TO247 |
700000 |
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询价 | ||
ST |
22+23+ |
TO-3P |
19929 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
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ST |
589220 |
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询价 | ||||
ST(意法) |
23+ |
N/A |
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ST/意法 |
2022 |
TO-247 |
80000 |
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询价 |
