STU8N80K5数据手册ST中文资料规格书
STU8N80K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STU8N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.95
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：16.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-251 |
32360 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-251-3 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
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ST |
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TO-251 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST/意法半导体 |
22+ |
TO-251-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-251-3 |
12700 |
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ST |
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原厂原封 |
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ST(意法) |
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ST/意法半导体 |
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TO-251-3 |
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ST |
25+ |
原厂原封 |
16900 |
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