STU7NM60N数据手册ST中文资料规格书
STU7NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STU7NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.9
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-251-3IPakTO-251AA |
32360 |
ST/意法全新特价STU7NM60N即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
430 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO-251 |
3900 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
IPAK |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-251 |
54648 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
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ST(意法半导体) |
2024+ |
TO-251-3 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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ST |
1942+ |
TO-251 |
9852 |
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ST |
13+ |
TO-251 |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-251-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 |
