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STU75N3LLH6规格书详情
描述 Description
This N-Channel Power MOSFET product utilizes the 6thgeneration of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure.The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
技术参数
- 制造商编号
：STU75N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0084
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0059
- Drain Current (Dc)_max(A)
：75
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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