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STU3030NLS	文件：825.99 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package. 文件：825.99 Kbytes 页数：9 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STU3030NLS	文件：1.14378 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.14378 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STU3030NLS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets	Samhop 三合微科	Samhop
STUD3030NLS	文件：131.25 Kbytes Page：9 Pages	S uper high dense cell design for low R DS (ON). 文件：131.25 Kbytes 页数：9 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
SUR3030	文件：255.63 Kbytes Page：3 Pages	Ultra Fast Recovery Epitaxial Diodes 文件：255.63 Kbytes 页数：3 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
SUR3030	文件：215.22 Kbytes Page：3 Pages	Soft Recovery Behaviour Ultra Fast Recovery Epitaxial Diodes 文件：215.22 Kbytes 页数：3 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER

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更多STU3030NLS供应商更新时间2025-12-5 20:24:00