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STU3030NLS	文件：825.99 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU3030NLS	文件：1.14378 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STU3030NLS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets;	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STUD3030NLS	文件：131.25 Kbytes Page：9 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SUR3030	文件：215.22 Kbytes Page：3 Pages	SoftRecoveryBehaviourUltraFastRecoveryEpitaxialDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
SUR3030	文件：255.63 Kbytes Page：3 Pages	UltraFastRecoveryEpitaxialDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
SUR3030PT	文件：263.41 Kbytes Page：3 Pages	UltraFastRecoveryEpitaxialDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
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SZ3030	文件：166.39 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSiliconZenerDiodes VZ:3.3-200Volts PD:1.5Watts Features ◇CompleteVoltageRange3.3to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent ◇Pb/RoHSFree	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SZ3030	文件：28.77 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:1.5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

详细参数

型号：
STU3030NLS
制造商：
SAMHOP
制造商全称：
SAMHOP
功能描述：
N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor

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