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STU2NK100Z中文资料N沟道1000 V、6.25 Ohm典型值、1.85 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET，IPAK封装数据手册ST规格书
STU2NK100Z规格书详情
描述 Description
This high-voltage device is a Zener-protected N-channel Power MOSFET developed using the SuperMESH technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STU2NK100Z
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：1000
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：8.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：1.85
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：16
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST(意法) |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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SST |
原厂封装 |
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ST/意法 |
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TO-251 |
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