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STU16N65M2中文资料N沟道650 V、0.32 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，IPAK封装数据手册ST规格书
STU16N65M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STU16N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.36
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：19.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
18250 |
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ST |
25+ |
原厂原封 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST |
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ST |
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ST |
TO-220F |
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ST |
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TO-220F |
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IPAK TO-251 |
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STMicroelectronics |
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ST(意法半导体) |
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