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STU10NM60N数据手册ST中文资料规格书
STU10NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STU10NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.55
- Drain Current (Dc)_max(A)
：10
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：19
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-251 |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-251-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-251 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
STMICROEL |
23+ |
NA |
12411 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-251-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-251 |
15359 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-251-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
