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STU13005N数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

STU13005N

参数属性

STU13005N 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 3A TO251

功能描述

高压快速切换NPN功率晶体管
TRANS NPN 400V 3A TO251

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-14 17:10:00

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STU13005N规格书详情

描述 Description

This device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA.

特性 Features

• High voltage capability
• Low spread of dynamic parameters
• Very high switching speed

简介

STU13005N属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的STU13005N晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STU13005N

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :700

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :700

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :400

  • Collector Current_max(A)

    :3

  • Collector Current_abs_max(A)

    :3

  • Dc Current Gain_min

    :10

  • Dc Current Gain_max

    :30

  • Test Condition for hFE (IC)

    :1

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :5

  • VCE(sat)_max(V)

    :5

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :3

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :750

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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