STU2N95K5中文资料N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 5功率MOSFET，IPAK封装数据手册ST规格书
STU2N95K5规格书详情
描述 Description
这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 采用TO-220 封装，具有全球领先的 RDS(on)
• 全球出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STU2N95K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：950
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：2
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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