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STU2N95K5中文资料N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 5功率MOSFET,IPAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STU2N95K5

功能描述

N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 5功率MOSFET,IPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-29 8:33:00

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STU2N95K5规格书详情

描述 Description

这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

特性 Features

• 采用TO-220 封装,具有全球领先的 RDS(on)
• 全球出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

技术参数

  • 制造商编号

    :STU2N95K5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :IPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :950

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :5

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :2

  • PTOT_max(W)

    :45

  • Qg_typ(nC)

    :10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
22+
TO-251-3
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原装正品现货 可开增值税发票
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