STU2N80K5中文资料N沟道800 V、3.5 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，IPAK封装数据手册ST规格书
STU2N80K5规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) * area
• Industry's best figure of merit (FoM)
• Ultra low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STU2N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：4.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：2
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-251-3 |
16900 |
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ST/意法半导体 |
2511 |
TO-251-3 |
16900 |
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ST |
23+ |
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TO-251 |
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STM |
23+ |
TO-251 IPAK |
50000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-251-3 |
6000 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-251-3 |
10000 |
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ST/意法 |
2450+ |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-251-3 |
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只做原装,质量保证 |
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24+ |
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