STU2N80K5数据手册ST中文资料规格书
STU2N80K5规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) * area
• Industry's best figure of merit (FoM)
• Ultra low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STU2N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：4.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：2
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3746 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-251 |
32360 |
ST/意法全新特价STU2N80K5即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-251-3 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
5209 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-251-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
STM |
21+/22+ |
TO-251 IPAK |
6000 |
15年光格 只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-251-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST |
635 |
只做正品 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-251-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 |
