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STU1HN60K3中文资料N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package数据手册ST规格书

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厂商型号

STU1HN60K3

功能描述

N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-29 14:36:00

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STU1HN60K3规格书详情

描述 Description

These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

特性 Features

• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected

技术参数

  • 型号:

    STU1HN60K3

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    POWER MOSFET - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
24+
TO-251-3
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