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STTH5R06DJF中文资料600 V、5 A PowerFLAT Turbo 2超高速二极管数据手册ST规格书

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厂商型号

STTH5R06DJF

参数属性

STTH5R06DJF 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT

功能描述

600 V、5 A PowerFLAT Turbo 2超高速二极管
DIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT

封装外壳

8-PowerVDFN

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-28 9:39:00

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STTH5R06DJF规格书详情

描述 Description

High performance diode suited for high frequency DC to DC converters.

Packaged in PowerFLAT 5x6, the STTH5R06DJF is optimized for use in low voltage high frequency inverters, free-wheeling and polarity protection applications.

Its low profile was especially designed to be used in applications with space-saving constraints.

特性 Features

• Suited for DC/DC converts
• Low losses
• High Tj
• High surge current capability
• High energy avalanche capability
• High integration
• Thin package: 1 mm
• ECOPACK2 compliant

简介

STTH5R06DJF属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STTH5R06DJF二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STTH5R06DJF

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :1

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :600

  • Average Rectified Current_max(A)

    :5

  • VF_max(V)

    :1.2

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.06

  • Reverse Recovery Time_max(ns)

    :40

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)

    :190

  • Junction Temperature_max(°C)

    :175

  • General Description

    :600 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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