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STTH3R02中文资料200 V、3 A高效超高速二极管数据手册ST规格书

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厂商型号

STTH3R02

参数属性

STTH3R02 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

功能描述

200 V、3 A高效超高速二极管
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

封装外壳

DO-201AD,轴向

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-28 9:49:00

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STTH3R02规格书详情

描述 Description

The STTH3R02 uses ST's new 200 V planar Pt doping technology, and it is specially suited for switching mode base drive and transistor circuits.

Packaged in DO-201AD, DO-15, and SMC, this device is intended for use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling and polarity protection.

特性 Features

• Very low conduction losses
• Negligible switching losses
• Low forward and reverse recovery times
• High junction temperature

简介

STTH3R02属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STTH3R02二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STTH3R02

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :1

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :200

  • Average Rectified Current_max(A)

    :3

  • VF_max(V)

    :1

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.003

  • Reverse Recovery Time_max(ns)

    :20

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)

    :75

  • Junction Temperature_max(°C)

    :175

  • General Description

    :200 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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