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STTH5L04DEE数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

STTH5L04DEE

参数属性

STTH5L04DEE 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 400V 5A POWERFLAT

功能描述

Turbo 2 ultrafast recovery diode
DIODE GEN PURP 400V 5A POWERFLAT

封装外壳

8-PowerVDFN

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:00:00

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STTH5L04DEE规格书详情

描述 Description

The STTH5L04 series uses ST’s new 400 V planar Pt doping technology. The STTH5L04 is specially suited for switching mode base drive and transistor circuits.
Packaged in PowerFLAT™, this device is intended for use in low profile applications.

特性 Features

• Very low switching losses
• High frequency and high pulse current operation
• Low thermal resistance
• High junction temperature
• ECOPACK®2 compliant component

简介

STTH5L04DEE属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STTH5L04DEE二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    STTH5L04DEE-TR

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-PowerVDFN

  • 供应商器件封装:

    PowerFlat™(3.3x3.3)

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 400V 5A POWERFLAT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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