STTH4R02中文资料200 V、4 A高效超高速二极管数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STTH4R02 |
| 参数属性 | STTH4R02 封装/外壳为DO-201AB，DO-32，轴向；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB |
| 功能描述 | 200 V、4 A高效超高速二极管 |
| 封装外壳 | DO-201AB，DO-32，轴向 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 20:00:00 |
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STTH4R02规格书详情
描述 Description
The STTH4R02 uses ST's new 200 V planar Pt doping technology, and it is specially suited for switching mode base drive and transistor circuits.
Packaged in DPAK, SMB and SMC, this device is intended for use in low voltage, high frequency inverters, freewheeling and polarity protection.
特性 Features
• Negligible switching losses
• High junction temperature
• Very low conduction losses
• Low forward and reverse recovery times
• ECOPACK®2 compliant component for DPAK on demand
简介
STTH4R02属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STTH4R02二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：STTH4R02
- 生产厂家
：ST
- Number of Diodes_spec
：1
- Marketing Status
：Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)
：200
- Average Rectified Current_max(A)
：4
- VF_max(V)
：1.05
- Reverse Current_max(mA)
：0.003
- Reverse Recovery Time_max(ns)
：20
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)
：70
- Junction Temperature_max(°C)
：175
- General Description
：200 V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
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SMC |
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ST(意法) |
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ST(意法) |
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ST |
23+ |
DO-214A |
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ST |
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ST |
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ST |
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