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STTH4R02	文件：143.48 Kbytes Page：13 Pages	Ultrafast recovery diode 文件：143.48 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH4R02	文件：300 bytes Page：1 Pages	200 V、4 A高效超高速二极管 The STTH4R02 uses ST's new 200 V planar Pt doping technology, and it is specially suited for switching mode base drive and transistor circuits.\n\n Packaged in DPAK, SMB and SMC, this device is intended for use in low voltage, high frequency inverters, freewheeling and polarity protection. • Negligible switching losses \n• High junction temperature \n• Very low conduction losses \n• Low forward and reverse recovery times \n• ECOPACK®2 compliant component for DPAK on demand;	ST 意法半导体	ST
STTH4R02	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AB，DO-32，轴向；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH4R02BY-TR	文件：449.32 Kbytes Page：14 Pages	丝印：STTH4R02BY；Package：DPAK；Automotive ultrafast recovery diode Features  Very low conduction losses  Negligible switching losses  Low forward and reverse recovery times  High junction temperature  PPAP capable  AEC-Q101 qualified 文件：449.32 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH4R02SY	文件：449.32 Kbytes Page：14 Pages	丝印：4R2SY；Package：SMC；Automotive ultrafast recovery diode Features  Very low conduction losses  Negligible switching losses  Low forward and reverse recovery times  High junction temperature  PPAP capable  AEC-Q101 qualified 文件：449.32 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH4R02UY	文件：449.32 Kbytes Page：14 Pages	丝印：4R2UY；Package：SMB；Automotive ultrafast recovery diode Features  Very low conduction losses  Negligible switching losses  Low forward and reverse recovery times  High junction temperature  PPAP capable  AEC-Q101 qualified 文件：449.32 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH4R02-Y	文件：449.32 Kbytes Page：14 Pages	Automotive ultrafast recovery diode Features  Very low conduction losses  Negligible switching losses  Low forward and reverse recovery times  High junction temperature  PPAP capable  AEC-Q101 qualified 文件：449.32 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH4R02-Y_V01	文件：449.32 Kbytes Page：14 Pages	Automotive ultrafast recovery diode Features  Very low conduction losses  Negligible switching losses  Low forward and reverse recovery times  High junction temperature  PPAP capable  AEC-Q101 qualified 文件：449.32 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH4R02B	文件：143.48 Kbytes Page：13 Pages	Ultrafast recovery diode 文件：143.48 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTH4R02B-TR	文件：143.48 Kbytes Page：13 Pages	Ultrafast recovery diode 文件：143.48 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STTH4R02
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
4A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AB，DO-32，轴向
供应商器件封装：
DO-201AB
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB

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更多STTH4R02供应商更新时间2026-4-19 13:44:00

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