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STTH506D数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

STTH506D

参数属性

STTH506D 封装/外壳为TO-220-2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

功能描述

600 V、5 A串联超高速升压二极管
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

封装外壳

TO-220-2

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:40:00

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STTH506D规格书详情

描述 Description

The TURBOSWITCH “H” is an ultra high performance diode composed of two 300V dice in series. TURBOSWITCH “H” family drastically cuts losses in the associated MOSFET when run at high dIF/dt.

特性 Features

• Package Capacitance: C=7pF
• ESPECIALLY SUITED AS BOOST DIODE IN CONTINUOUS MODE POWER FACTOR CORRECTORS AND HARD SWITCHING CONDITIONS
• INTERNAL CERAMIC INSULATED DEVICES WITH EQUAL THERMAL CONDITIONS FOR BOTH 300V DIODES
• DESIGNED FOR HIGH dIF/dt OPERATION. HYPERFAST RECOVERY CURRENT TO COMPETE WITH SiC DEVICES. ALLOWS DOWNSIZING OF MOSFET AND HEATSINKS
• STATIC AND DYNAMIC EQUILIBRIUM OF INTERNAL DIODES ARE WARRANTED BY DESIGN
• INSULATION (2500VRMS) ALLOWS PLACEMENT ON SAME HEATSINK AS MOSFET FLEXIBLE HEATSINKING ON COMMON OR SEPARATE HEATSINK

简介

STTH506D属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STTH506D二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STTH506D

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :1

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :600

  • Average Rectified Current_max(A)

    :5

  • VF_max(V)

    :3.6

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.006

  • Reverse Recovery Time_max(ns)

    :25

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)

    :60

  • Junction Temperature_max(°C)

    :150

  • General Description

    :600 V

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