STT818B中文资料高增益低压PNP功率晶体管数据手册ST规格书

描述 Description

The device is manufactured in low voltage PNP Planar Technology with \\\"Base Island\\\" layout. The resulting Transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

• Very low collector to emitter saturation voltage
• 3 A continuous collector current (IC)
• DC current gain > 100 (hFE)

简介

STT818B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的STT818B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。