STT7P2UH7数据手册ST中文资料规格书
STT7P2UH7规格书详情
描述 Description
This P-channel Power MOSFET utilizes the STripFET™ H7 technology with a trench gate structure combined with extremely low on-resistance. The device also offers ultra-low capacitances for higher switching frequency operations.
特性 Features
Very low on-resistance
Very low capacitance and gate charge
High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STT7P2UH7
- 生产厂家
：ST
- Package
：SOT23-6L
- Packing Type
：Tape And Reel
- Marketing Status
：Active: Product is in volume production
- Unit Price (US$)*
：0.27
- Quantity
：1000
- ECCN (EU)
：NEC
- ECCN (US)
：EAR99
- Country of Origin
：CHINA
- More info
：MORE INFO
- Order from ST
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
SOT-23-6 |
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SOT23-6L |
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ST |
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SOT23-6L |
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