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STT6N3LLH6中文资料N沟道30 V、0.021 Ohm、6 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，SOT23-6L封装数据手册ST规格书
STT6N3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
技术参数
- 制造商编号
：STT6N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SOT23-6L
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.036
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.025
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6
- PTOT_max(W)
：1.6
- Qg_typ(nC)
：3.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
新年份 |
SOT23-6L |
3250 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
2023+ |
SMD |
5000 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
SOT-23-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法 |
2023+ |
SOT23-6 |
6893 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOT-23-6 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SOT23-6L |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SOT23-6L |
504730 |
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询价 |
